Les transistors ferroélectriques (FeFET) utilisent un oxyde semi-conducteur à base d'indium (SCO) comme matériau de canal. Cette couche, d'une épaisseur inférieure à 10 nm, est sensible à l'environnement chimique et à la température auxquels elle est exposée. Lors de l'intégration des FeFET dans le back-end of line (BEOL), il est nécessaire de graver des couches diélectriques par plasma en s'arrêtant sur la couche SCO afin de créer les contacts électriques du transistor. Le SCO exposé aux plasmas de gravure et de stripping peut être modifié et endommagé, rendant les contacts sur SCO non fonctionnels.
L'objectif de cette thèse est de caractériser les propriétés physico-chimiques, structurales et électriques des couches SCO à base d'indium exposées à différents plasmas de gravure et de stripping, en utilisant les techniques XPS, XRR, XRD, AFM ainsi que des tests électriques. En parallèle, une analyse de la contamination du réacteur de gravure contact par l'indium sera réalisée par XPS et TXRF, afin d'évaluer les protocoles de nettoyage plasma permettant d'éliminer efficacement l'indium de l'équipement de gravure, ce qui est crucial pour la fabrication de cette technologie dans une salle blanche 300 mm.