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Moteur de recherche d'offres d'emploi CEA

Concentrations maximales de dopants actifs atteignables par recuit laser nanoseconde


Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
  

Référence

SL-DRT-24-0917  

Direction

DRT

Description du sujet de thèse

Domaine

Défis technologiques

Sujets de thèse

Concentrations maximales de dopants actifs atteignables par recuit laser nanoseconde

Contrat

Thèse

Description de l'offre

Les régions ‘source’ et ‘drain’ des transistors sont classiquement formées par implantation ionique de dopants (B, P) dans le silicium ou l’alliage SiGe suivi d’un traitement thermique pour guérir le cristal et activer électriquement ces dopants. Dans le cas de l’intégration 3D séquentielle, architecture avec au moins deux niveaux de transistors superposés, le budget thermique autorisé pour la réalisation du niveau supérieur est très limité, pour éviter la dégradation du niveau inférieur. Les recuits classiques pendant quelques secondes à quelques minutes entre 600 et 1050°C ne sont plus possibles. Il faut alors faire appel au recuit laser nanoseconde (NLA), qui permet des recuits ultra-courts avec une chaleur confinée en extrême surface (~ 10-20 nm) de part sa longueur d'onde et sa durée d'impulsion. Selon la quantité de chaleur apportée à une couche de Si ou SiGe amorphe par NLA, différents phénomènes peuvent être observés. Lorsque la quantité de chaleur est suffisante, la couche fond. D'autre part, lorsque la quantité de chaleur ne dépasse pas le seuil de fusion, une re-croissance épitaxiale en phase solide (SPER) peut avoir lieu. Dans les deux cas, la vitesse de refroidissement extrême permet potentiellement d’atteindre des concentrations de dopants actifs au-delà de la limite de solubilité. Cependant, la dose active maximale atteignable (phosphore et bore dans le silicium et bore dans le silicium-germanium) n'est pas connue, tant pour le régime solide que liquide.

Université / école doctorale

Ecole Doctorale de Physique de Grenoble (EdPHYS)
Grenoble INP

Localisation du sujet de thèse

Site

Grenoble

Critères candidat

Formation recommandée

Master2 Matériaux

Demandeur

Disponibilité du poste

01/10/2024

Personne à contacter par le candidat

OPPRECHT Mathieu mathieu.opprecht@cea.fr
CEA
DRT/DPFT/SSURF

0438785598

Tuteur / Responsable de thèse

COOPER David david.cooper@cea.fr
CEA
DRT/DPFT
Commissariat à l’Energie Atomique
CEA - LETI MINATEC
17, rue des Martyrs - 38054
Grenoble Cedex 9
04 38 78 91 27

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