La technologie SmartCutTM est actuellement très utilisée pour la fabrication de substrats semi-conducteurs de haute performance, tel que le SOI (Silicon-On-Insulator). C'est également une approche très prometteuse pour l'élaboration de substrats semi-conducteurs à large bande interdite, tels que le GaN ou le SiC. Ceux-ci sont essentiels au développement de la prochaine génération de dispositifs pour l'électronique de puissance et l'optoélectronique, nécessaire pour une société plus économe en énergie.
SmartCut repose sur le principe de transfert de couche minces, en utilisant des procédés d'implantation ionique et de collage direct. Bien que ceux-ci soient maîtrisés dans le cas du silicium, il reste encore beaucoup à comprendre sur les différents mécanismes impliqués à tous les stades du processus de transfert sur ces nouveaux matériaux.
Ce projet de thèse s'attachera à étudier les propriétés structurales de ces nouveaux matériaux à l'aide de techniques expérimentales utilisant le rayonnement synchrotron. En particulier les effets de déformation cristalline et les éventuels défauts cristallins dans la couche transférée seront examinés par microdiffraction de Laue, tandis que l'interface entre la couche transférée et le substrat seront étudié par réflectivité de rayons X durs.