Informations générales
Entité de rattachement
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.
Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
Référence
SL-DRT-24-0770
Direction
DRT
Description du sujet de thèse
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Modélisation et optimisation des transistors à base de matériaux 2D : couplage des simulations ab initio et TCAD
Contrat
Thèse
Description de l'offre
Les transistors à effet de champ utilisant des matériaux 2D semblent prometteurs en raison de leur bonne mobilité et de leur finesse atomique. Cependant, cette technologie doit surmonter plusieurs défis, notamment la réduction des résistances des contacts, le contrôle de la variabilité et l'optimisation des transistors à canaux courts (< 10 nm).
Le CEA-Leti a une forte activité expérimentale sur cette thématique de recherche. Un effort important a également été initié en simulation numérique, aussi bien à l’échelle du dispositif (TCAD) qu’à l’échelle atomique (simulation ab initio) pour accompagner le développement de cette technologie.
Le présent sujet de thèse s’inscrit dans cette dynamique et consiste à évaluer les performances des transistors à base de matériaux 2D en fonction des paramètres technologiques à l'aide de simulations multi-physiques qui permettront d’optimiser les performances de ces dispositifs avant leur fabrication. Les options technologiques (matériaux, géométrie) n’étant pas encore figées, le doctorant pourra explorer des axes innovants. Une partie de la thèse sera consacrée au couplage des simulations TCAD avec les calculs ab initio pour fournir une compréhension détaillée et fondamentale des caractéristiques structurales et électroniques du dispositif à l'échelle atomique.
Le laboratoire bénéficie d’un accès à des supercalculateurs et au différents logiciels nécessaires au projet (Sentaurus, VASP, GPAW, ..). Le doctorant pourra s’appuyer sur l’expertise de l’équipe dans les différentes techniques de simulation et sur les échanges réguliers avec les expérimentateurs.
Ce projet de thèse permettra de développer des compétences larges en simulation des dispositifs électroniques. Le doctorant présentera ses résultats dans des conférences et revues internationales.
Université / école doctorale
Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Université Grenoble Alpes
Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
Master 2 in physics or microelectronics
Demandeur
Disponibilité du poste
01/10/2024
Personne à contacter par le candidat
CHOUK Rihab rihab.chouk@cea.fr
CEA
DRT/DCOS//LSM
Tuteur / Responsable de thèse
TRIOZON François francois.triozon@cea.fr
CEA
DRT/DCOS//LSM
17 avenue des Martyrs, 38054 Grenoble
04 38 78 21 86
En savoir plus
https://www.linkedin.com/in/rihab-chouk-rc26111992
https://www.leti-cea.fr/
https://orcid.org/0000-0002-0215-8456