Informations générales
Entité de rattachement
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.
Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
Référence
SL-DRT-24-0859
Direction
DRT
Description du sujet de thèse
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Etude de module de grille MOS innovant pour améliorer l’efficacité énergétique des transistors de puissance en SiC
Contrat
Thèse
Description de l'offre
Les composants en carbure de silicium (SiC) représentent l'avenir de l'électronique de puissance, surpassant les technologies silicium en termes de tolérance à la température et de capacité de gestion de la puissance. Au coeur de cette évolution, le CEA Leti joue un rôle clé dans le développement de ces composants de nouvelle génération, essentiels pour des applications telles que les véhicules électriques, les systèmes de recharge ou les installations photovoltaïques Nos équipes apportent leur soutien à des industriels majeurs européens en établissant des lignes pilotes de production de composants GaN et SiC, ainsi qu'en développant des substrats SiC avec nos partenaires industriels
Cette thèse a pour but de développer des approches technologiques novatrices pour la conception de grilles de transistors MOS en SiC et d'évaluer leur impact environnemental pour éclairer nos choix technologiques Vous approfondirez la compréhension de la physique des MOSFETs en SiC en examinant différentes architectures de grille et en
identifiant les processus physiques qui restreignent la mobilité électronique dans un canal MOS en SiC. Les questions telles que l'influence du stress sur la mobilité et la possibilité de séparer la mobilité des porteurs de la tension de seuil seront au coeur de vos recherches.
Université / école doctorale
Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
Physique et ingénierie des matériaux pour la microélectronique
Demandeur
Disponibilité du poste
01/09/2024
Personne à contacter par le candidat
BISCARRAT Jérôme jerome.biscarrat@cea.fr
CEA
DRT/DCOS//LAPS
0438784927
Tuteur / Responsable de thèse
A Préciser A préciser
CEA
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