Informations générales
Entité de rattachement
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.
Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
Référence
SL-DRT-24-0780
Direction
DRT
Description du sujet de thèse
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Caractérisation et conception de mémoires non volatiles à base de HfO2 durcies aux effets radiatifs
Contrat
Thèse
Description de l'offre
Ce sujet porte sur la caractérisation et la conception de circuits mémoires non volatiles durcis aux effets radiatifs à base de matériau HfO2. En effet, ce matériau présente des propriétés d'immunité aux radiations naturelles (spatiales) et artificielles (liées aux activités humaines) pouvant être exploitées pour fiabiliser le stockage de données dans des environnements sévères. De plus, combiné à la technologie CMOS FD-SOI, qui présente elle aussi une certaine immunité aux effets radiatifs, il est alors envisageable de mettre en œuvre des circuits mémoires très robustes sans complexifier la périphérie de pilotage, qui est alors l'élément le plus sensible. Dans cette thèse seront étudiés les mémoires ReRAM et FeRAM, qui sont des mémoires prometteuses en terme de performances, d'efficacité énergétique et de scalabilité et qui, à terme, pourraient remplacer les mémoires Flash et EEPROM classiques. Un ou plusieurs testchips sont envisagés pour mettre en œuvre de nouvelles techniques de conception robustes et se benchamarker par rapport aux solutions existantes.
Université / école doctorale
Matière, Molécules et Matériaux (3M)
Rennes
Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
M2 Electronique/Micro-nanoélectronique
Demandeur
Disponibilité du poste
01/10/2024
Personne à contacter par le candidat
NOEL Jean-Philippe jean-philippe.noel@cea.fr
CEA
DRT/DSCIN/DSCIN/LFIM
17 Rue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
France
04 38 78 44 03
Tuteur / Responsable de thèse
AUTRAN Jean Luc jean-luc.autran@univ-rennes.fr
CNRS
CNRS/IPR
Univ Rennes, CNRS, IPR (Institut de Physique de Rennes) - UMR 6251, F-35000 Rennes, France
+33 (0)2 23 23 32 23
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