Informations générales
Entité de rattachement
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.
Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
Référence
SL-DRT-24-0580
Direction
DRT
Description du sujet de thèse
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Quantification des composés binaires stratégiques par photoémission haute-énergie (HAXPES) et analyse de surface combinée
Contrat
Thèse
Description de l'offre
La thèse a pour principal objectif d’apporter un support fiable aux étapes de qualification des procédés en salle blanche pour l’élaboration des matériaux Front-End destinés aux technologies FD-SOI avancées. Pour ce faire, des méthodologies de quantification élémentaire centrées sur l’utilisation de la spectroscopie de photoélectrons par rayons X durs (HAXPES) seront développées et fiabilisées grâce à un contexte collaboratif à multiples niveaux, interne et industriel.
Ces collaborations permettront de mutualiser un travail en amont visant à une meilleure compréhension de la quantification en HAXPES à tous les niveaux (mesure de l’intensité, types de facteur de sensibilité utilisés, reproductibilité des mesures).
Dans une seconde étape, les protocoles seront appliqués aux matériaux technologiques visés, puis optimisés. Les matériaux ciblés sont prioritairement les composés du silicium et du germanium participant à l’optimisation du canal des transistors FD-SOI avancés, tels que Si:P, SiGe et leurs dérivés (GeSn, SiGe:B). Une approche analytique combinée faisant appel à d’autres techniques de nanocaractérisation sera consolidée en identifiant les techniques les plus adéquates pour produire des données de référence (ToF-SIMS, RBS, …).
Dans un troisième temps, les aspects multi-échelle seront développés. Notamment, ils viseront à étudier dans quelle mesure la composition mesurée par HAXPES sur un matériau élaboré en amont des étapes d’intégration des transistors (pour l’optimisation des procédés de dépôt) se compare à celle déterminée par d’autre techniques (sonde atomique tomographique, TEM-EDX, TEM-EELS) en fin d’intégration de dispositifs nanométriques.
Université / école doctorale
Ingénierie - Matériaux - Environnement - Energétique - Procédés - Production (IMEP2)
Université Grenoble Alpes
Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
Physique matière condensée science des matériaux
Demandeur
Disponibilité du poste
01/10/2024
Personne à contacter par le candidat
Gauthier Nicolas nicolas.gauthier@cea.fr
CEA
DRT/DPFT//LASI
17 avenue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
France
0438784664
Tuteur / Responsable de thèse
RENAULT Olivier olivier.renault@cea.fr
CEA
DRT/DPFT//LASI
17 avenue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
France
04 38 78 96 48
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