La thèse a pour principal objectif d’affiner la méthodologie de quantification élémentaire des spectres de photoémission haute-énergie (HAXPES) pour atteindre des niveaux d’incertitude de 5% ou moins sur les mesures réalisées sur en intégrant, dans la méthodologie mise en place récemment, des données physiques matériau-dépendant et relatives aux pertes d’énergie inélastiques des photoélectrons (données REELS). La quantification réalisée avec ce protocole, affiné grâce à une étude sur des éléments purs, sera comparée à l’existant pour déterminer le gain en précision. Dans un second temps, il sera appliqué à des composés binaires, binaires dopées et ternaires d’intérêt technologique, par exemple pour la technologie FD-SOI; en parallèle, un travail d’alignement sera réalisé avec les mesures produites par un spectromètre en salle blanche sur les mêmes échantillons ; les aspects d’intégration seront étudiés avec des mesures sur boîtes de test. Notamment, ils viseront à étudier dans quelle mesure la composition mesurée par HAXPES sur un matériau élaboré en amont des étapes d’intégration des transistors (pour l’optimisation des procédés de dépôt) se compare à celle déterminée par d’autre techniques (sonde atomique tomographique, TEM-EDX, TEM-EELS) en fin d’intégration de dispositifs nanométriques.