Contexte : Il existe un besoin en spécimens semi-conducteurs très fortement dopés pour le développement continu de dispositifs CMOS Si/Ge et pour le dopage de matériaux III-V où l'énergie d'ionisation conduit à une faible concentration de porteurs. Afin de fournir ces spécimens hautement dopés, de nouvelles méthodes de croissance et d’implantation sont nécessaires. Ceux-ci doivent être mieux compris et caractérisés avec une résolution à l’échelle nm.
Sujet proposé : Nous combinerons diverses techniques de microscope électronique à transmission (S)TEM (à balayage), telles que l'holographie électronique, la diffraction électronique à précession, la spectroscopie et l'imagerie haute résolution sur le même spécimen. Des techniques avancées de traitement des données seront développées afin de combiner les différentes cartes pour fournir des informations sur la concentration totale de dopants, la quantité de dopants sur les sites de substitution et les concentrations de dopants actifs. Ce travail fournira une méthodologie pour évaluer l'efficacité des différents processus utilisés pour le dopage dans la recherche avancée sur les CMOS. Cela inclut le FD-SOI 10 nm et moins, la source et les drains surélevés et intégrés, Si:P, SiGe:B, basse température/Coolcube.