Informations générales
Entité de rattachement
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.
Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
Référence
SL-DRT-25-0198
Direction
DRT
Description du sujet de thèse
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Epitaxie sélective basse température du SiGe(:B) pour les transistors pMOS FD-SOI
Contrat
Thèse
Description de l'offre
Dans le cadre de l’évolution des technologies silicium pour la microélectronique, les procédés mis en jeu dans la fabrication des dispositifs se doivent d'être optimisés. Plus précisément, l'épitaxie, technique de croissance cristalline, est utilisée pour fabriquer des transistors FD-SOI (Fully Depleted-Silicon On Insulator) au nœud technologique 10 nm dans le cadre du projet NextGen au CEA-Leti. Une épitaxie de semi-conducteurs de type Si et SiGe dopée ou non est développée afin d’améliorer les performances électriques des dispositifs. Le travail de thèse portera sur les épitaxies sélectives du SiGe(:B) pour les canaux et les sources/drains des transistors pMOS. Une comparaison des cinétiques de croissances du SiGe et du SiGe:B sera faite entre les croissances sous gaz porteur H2, couramment employé et le gaz porteur N2. Des stratégies innovantes de dépôt/gravure cyclées (CDE) seront également évaluées, l’objectif étant d’abaisser la température du procédé.
Université / école doctorale
Ecole Doctorale de Physique de Grenoble (EdPHYS)
Université Grenoble Alpes
Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble
Critères candidat
Formation recommandée
bac+5 (master) spécialité sciences des matériaux et/ou microélectronique
Demandeur
Disponibilité du poste
01/10/2025
Personne à contacter par le candidat
LESPIAUX Justine
justine.lespiaux@cea.fr
CEA
DRT/DPFT
LETI/DPFT/SSURF, CEA-GRENOBLE, 17, Avenue des Martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, France
0438785079
Tuteur / Responsable de thèse
HARTMANN Jean-Michel, François
jean-michel.hartmann@cea.fr
CEA
DRT/DPFT
17 rue des Martyrs
38054 - Grenoble CEDEX 9
33 (0) 4 38 78 95 24
En savoir plus
https://www.linkedin.com/in/justine-lespiaux-epitaxy?originalSubdomain=fr
https://www.leti-cea.fr/cea-tech/leti/Pages/Accueil.aspx