Ce sujet de thèse offre une opportunité unique d'améliorer vos compétences en dispositifs de puissance GaN et de développer des architectures innovantes. Vous travaillerez aux côtés d'une équipe multidisciplinaire spécialisée dans l'ingénierie des matériaux, la caractérisation, la simulation de dispositifs et les mesures électriques.
Les composants de puissance GaN verticaux sont très prometteurs pour les applications de puissance au-delà de la plage du kV. Des transistors avec une architecture 'trench MOSFET' ont été démontrés dans l'état de l'art avec des résultats encourageants. L'empilement de grille de ces dispositifs est un élément clés car il impacte directement leur résistance à l'état passant, la tension de seuil et le signal de commande à appliquer dans un convertisseur de puissance. L'étude proposée se concentrera sur le développement d'empilements de grille innovants capables de supporter des tensions élevées tout en maintenant une tension de seuil et une mobilité de canal à l'état de l'art avec un minimum de piégeage diélectrique. Le travail impliquera l'étude de l'impact des paramètres de procédés de fabrication sur les caractéristiques électriques. Une attention particulière sera à accorder à l'optimisation de la géométrie de la grille par des simulations TCAD pour étudier l'impact sur l'état passant et le claquage. Les améliorations identifiées seront intégrées aux dispositifs fabriqués sur notre ligne de composants de puissance GaN 200mm. Le travail se déroulera au sein du laboratoire des composants de puissance et sera soutenu par plusieurs projets en cours.